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3D半導体実装技術

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フォーマット 書籍
発売日 2025年10月24日
国内/輸入 国内
出版社エヌ・ティー・エス
構成数 1
パッケージ仕様 -
SKU 9784860439880
ページ数 350
判型 B5

構成数 : 1枚

序論 三次元積層技術の課題と展望
第1章 設計技術
第1節 三次元実装に向けた設計技術(AIチップ)
第2節 チップレット時代のアドバンスド半導体パッケージング設計
第2章 TSV(シリコン貫通電極)
第1節 Si深掘り装置技術
第2節 TSV向け低温プラズマCVD技術
第3節 銅電解めっき技術
第4節 銅配線(Cu)CMP技術
第5節 ウエハ仮固定・剥離技術
第6節 超薄化技術
第3章 接合技術
第1節 バンプ接合
第1項 SAP(配線形成技術)
第2項 狭ピッチフリップチップバンプ接合
第2節 ハイブリッド接合
第1項 プラズマ活性化
第2項 チップ接合
第3項 ウェハ接合(反り,残存応力,歪など)
第4項 クリーンダイシング
第4章 インターポーザー
第1節 Chiplet Integrationの基礎と動向
第2節 2.5D/3D実装におけるインターポーザーの進化とサプライチェーンの現在地,そして未来
第3節 RDL(Redistribution Layer)インターポーザー
第4節 ガラス貫通基板(TGV)への導電層形成技術
第5章 アプリケーション
第1節 FOWLP/FOPLP,Siブリッジ
第2節 イメージセンサ
第3節 3Dフラッシュメモリ向けCMOS directly Bonded to Array(CBA)技術
第4節 人工知能(AI)チップ
第6章 関連材料
第1節 封止材
第1項 アンダーフィル
第2項 FO-WLP/PLP向けエポキシ樹脂成形材料について
第3項 アドバンスドパッケージに対応した最新樹脂封止技術
第2節 CT型X線自動検査装置
第3節 ウェーハプローバ
第4節 放熱技術
第7章 信頼性
第1節 三次元集積回路内で発生する機械的応力
第2節 バウンダリスキャンによるTSV接続のテストと評価技術
第3節 エレクトロマイグレーション

  1. 1.[書籍]

二次元から三次元へ!微細化の限界を突破!
半導体の性能を大きく向上させる3次元実装技術!!
◆最新の後工程プロセスや関連技術について徹底的に詳説!
◆図解等を交えながら、複雑な組立やテストプロセスの詳細を分かりやすく解説!

【主な目次】
序論 三次元積層技術の展望と課題
第1章 設計技術
第2章 TSV(シリコン貫通電極)
第3章 接合技術
第4章 インターポーザー
第5章 アプリケーション
第6章 関連材料
第7章 信頼性

作品の情報

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著者： 福島誉史

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