ナノインプリント・リソグラフィの社会実装と将来展望 ～EUVLに対抗する注目の次世代半導体微細加工技術および離型性課題克服に向けた取り組み～

構成数 : 1枚

第1章 ナノインプリント・リソグラフィの概要・半導体への応用

第1節 ナノインプリント・リソグラフィのメカニズムと半導体応用に向けて
大阪公立大学 平井 義彦

はじめに
1. ナノインプリントの解像性
2. 熱ナノインプリントのメカニズム
2.1 パターン依存性
2.1.1 アスペクト比依存性
2.1.2 初期膜厚依存性
2.2 欠陥の抑制とプロセスシーケンス
3. 光(UV)ナノインプリントのメカニズム
3.1 光ナノインプリントプロセス
3.2 レジストの充填プロセス
3.2.1 液滴滴下方式での充填
3.2.2 スピンコート法と凝縮性気体雰囲気中での充填
3.3 UV 照射プロセス
3.4 UV硬化プロセス
4. 離型のメカニズム
4.1 離型とは
4.2 離型のメカニズム
4.2.1 破壊力学に基づく離型解析
4.2.2 接触境界に基づく離型解析
4.3 傾斜角付きパターンによる離型モデルの検証
4.4 離型性向上のための方策
4.4.1 化学的手法による離型性向上
4.4.2 力学的手法による離型性向上
5. ナノインプリントの限界解像性と分子挙動
5.1 分子サイズと成型性
5.2 熱、光ナノインプリントの限界解像性
5.3 光硬化プロセスでの分子挙動
5.4 圧搾状態での分子挙動
5.5 離型時の分子挙動
6. ナノインプリントの半導体集積回路への応用
6.1 半導体前工程への応用
6.2 半導体後工程への応用への期待
6.3 間隙リソグラフィとしての利用
おわりに


第2節 ナノインプリントリソグラフィにおける離型性課題の評価と対策
東京理科大学 谷口 淳

はじめに
1. 離型処理されたモールドの転写耐久特性評価
1.1 離型処理方法
1.2 繰り返しUV-NIL転写
1.3 繰り返しUV-NIL転写後の評価
1.4 繰り返しUV-NILによる離型性の評価
2. レプリカモールドを用いた場合
2.1 レプリカモールドの作製方法
2.2 レプリカモールドの転写耐久評価
3. 微細線構造モールドを用いた寿命予測
3.1 測定方向による接触角の違い
3.2 離型処理されたシリコンモールドの寿命予測
おわりに


第3節 半導体実装へのインプリント技術応用
コネクテックジャパン株式会社 小松 裕司

はじめに
1. 背景
1.1 半導体のIoT応用とチップ低温接合
1.2 インプリント法によるバンプの狭ピッチ化
1.3 ハードレプリカからソフトレプリカへ
2. 実験方法
3. 実験結果と考察
3.1 導電性ペーストのかきとり性
3.2 導電性ペーストの転写性
3.3 段差を有する基板への配線転写
3.4 高アスペクト微細バンプ形成
おわりに

第4節 光電融合半導体パッケージの研究開発とナノインプリントへの期待
国立研究開発法人産業技術総合研究所 中村 文

はじめに
1. アクティブ・オプティカル・パッケージ (AOP) 基板
1.1 概要
1.2 マイクロミラーを用いた光再配線構造
1.3 マイクロミラー作製技術と課題
2. 光ナノインプリントを用いたミラー作製
2.1 光ナノインプリントステッパーの開発
2.2 上部ミラー形成プロセス
2.3 75 mm基板でのミラー一括試作と評価
2.4 インプリントでの光再配線構造の作製と評価
おわりに


第5節 低欠陥・超高速ナノインプリント技術の開発<...