半導体製造における洗浄技術

構成数 : 1

第1章 半導体製造プロセスを支える洗浄技術
1 大口径化と微細化
2 洗う理由
3 前工程と洗浄
4 装置,薬液と乾燥
5 洗う面積
6 地球環境への影響と貢献
7 まとめ

第2章 半導体洗浄液の動向
1 機能性洗浄水
1.1 はじめに
1.2 機能性水の定義と種類
1.3 水素水による微粒子除去性能
1.4 微粒子除去メカニズム
1.5 SC-1薬液との微粒子除去性能の比較
1.6 水素水の製造方法
1.7 希釈アンモニア水によるLa2O3溶解抑制
1.8 希釈アンモニア水によるCu溶解抑制
1.9 各種リンス水による帯電防止
1.10 まとめ
2 半導体向け機能性洗浄剤
2.1 JSRの半導体ウェットプロセス材料開発
2.2 機能性洗浄剤に求められる役割
2.2.1 エッチング剤,エッチング助剤
2.2.2 溶媒(水,有機溶剤)
2.2.3 pH調整剤
2.2.4 金属防食剤
2.3 JSRの機能性洗浄剤
2.4 機能性洗浄剤の技術動向
2.4.1 省液化
2.4.2 低温化
2.4.3 リサイクル性
2.4.4 高アスペクト比
2.4.5 低パーティクル
2.5 終わりに
3 超高純度フッ化水素酸
3.1 はじめに
3.2 フッ化水素の製造技術
3.2.1 フッ化水素の製造工程
3.2.2 フッ化水素の超精製技術
3.3 超高純度フッ化水素酸の品質
3.3.1 金属不純物濃度の要求基準
3.3.2 パーティクルの要求基準
3.4 フッ化水素酸を使用した洗浄技術
3.4.1 既存の洗浄技術
3.4.2 枚葉スピン式による洗浄技術
3.4.3 狭所空間の洗浄技術
3.5 フッ化水素酸を使用した洗浄液の省資源化
3.6 今後の課題

第3章 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・乾燥技術
1 シリコンウェーハ洗浄技術の過去・現在・未来
1.1 半導体産業黎明期の洗浄技術
1.2 RCA洗浄登場以降の洗浄技術
1.3 半導体微細化に向けたウェーハ洗浄技術
1.3.1 バッチ浸漬式から枚葉スピン式への移行
1.3.2 異種新材料への対応
1.3.3 物理的補助手段によるダメージ
1.3.4 ウェーハ乾燥時のパターン倒壊対策
1.4 ドライ洗浄
1.5 将来に向けた洗浄の課題
1.6 おわりに
2 半導体ウェット洗浄技術の基礎と最先端技術
2.1 半導体洗浄プロセス
2.1.1 半導体洗浄方式
2.2 先端半導体デバイス製造における洗浄プロセスの課題
2.2.1 パーティクル制御
2.2.2 乾燥技術
2.3 シミュレーションの活用
2.3.1 液膜シミュレーション
2.3.2 分子シミュレーション
2.4 AIの活用
2.5 環境負荷低減に向けた取り組み
2.6 まとめ
3 シリコンウェーハにおける洗浄技術の重要性とその動向
3.1 はじめに
3.2 Siウェーハの洗浄技術
3.2.1 Siウェーハ洗浄の要素技術
3.2.2 Siウェーハ洗浄方式・装置の比較
3.2.3 枚葉式機能水洗浄技術とその効果
3.3 次世代のウェーハ洗浄技術についての提案
3.4 まとめ
4 先端半導体デバイスのCMP後洗浄技術と表面状態の評価
4.1 はじめに
4.2 CMPと洗浄ターゲット
4.3 洗浄原理とメカニズム
4.3.1 金属除去
4.3.2 パーティクル除去
4.3.3 有機残渣除去
4.4 機能設計と先端技術課題
4.5 CMP後洗浄と表面状態
4.5.1 金属,パーティクル
4.5.2 表面酸化膜
4.5.3 ガルバニック腐食
4.5.4 粒界腐食
4.5.5 有機残渣
4.6 おわりに
5 次世代半導体デバイスのための物理的洗浄技術:スプレー,超音波,そして次世代の洗浄技術
5.1 はじめに
5.2 半導体製造における洗浄プロセス
5.2.1 洗浄技術の分類
5.2.2 ウエット洗浄プロセス
5.2.3 物理的洗浄技術
5.2.4 ドライ洗浄プロセス
5.2.5 洗浄プロセスにおける課題と展望
5.3 ダメージを低減させるための超音波振動体による洗浄技術
5.3.1 開発した超音波振動体型洗浄装置
5.3.2 超音波振動体型洗浄装置の音圧特性
5.3.3 PSL粒子を用いた洗浄能力の確認
5.4 次世代の物理的な洗浄技術
5.4.1 インクジェット洗浄技術
5.4.2 超臨界洗浄技術
5.4.3 ソリッドフェーズクリーニング(Solid Phase Clean,SPC)法
5.4.4 ピンポイント洗浄
6 表面張力を利用するスピンドロップレット洗浄技術
6.1 イントロダクション
6.2 ミニマルファブの概要
6.3 スピンドロップレット洗浄
6.3.1 スピンドロップレット洗浄開発経緯
6.3.2 スピンドロップレット洗浄の洗浄機構と洗浄シーケンス