シリコンと化合物半導体の超精密・微細加工プロセス技術 ―工程別加工技術の基礎と最新動向―

構成数 : 1

総 論
―半導体Siと化合物半導体の超精密加工プロセス技術とその基本加工技術,そして最新動向の概略―
1 はじめに
2 基本となるシリコン(Si)半導体の加工プロセスと平坦化CMPの現状と将来
3 次世代3次元異種混載デバイスを念頭にした化合物半導体基板の加工プロセスの課題 ―超難加工材/ SiC, GaN, Diamondの加工プロセスはどうあるべきかー
4 おわりに ―More Basic CMPとMore than CMP,そしてBeyond CMP技術を目指す―

【スライシング 編】

第1章 各種結晶材料のウエハ化切断法とその特徴
1 はじめに
2 マルチワイヤソー
3 新しいウエハ化切断法

第2章 マルチワイヤソーによる半導体材料の切断加工
1 はじめに
2 マルチワイヤソー
3 遊離砥粒方式のマルチワイヤソー
4 固定砥粒方式マルチワイヤソー(ダイヤモンドワイヤソー)
5 樹脂コーティングワイヤを用いた延性モード加工
6 おわりに

第3章 レーザスライシングによる半導体材料の精密切断
1 はじめに
2 レーザスライシング法の原理
3 単結晶シリコンのスライシング
4 単結晶SiCのレーザスライシング
5 おわりに

第4章 マルチワイヤ放電スライシング
1 はじめに
2 マルチワイヤ放電スライシング装置の構成と高速ワイヤ走行の必要性
3 グループ給電方式による放電スライシング
4 おわりに

第5章 レーザスライスによるGaN基板の切り出し加工
1 はじめに
2 レーザスライスされたGaN基板
3 レーザスライスの原理,コンセプトの変遷
4 レーザスライス後の利用性確認
5 おわりに

【ラッピング・研削 編】

第6章 ウエハのラッピングと研削加工の基礎・動向
1 はじめに
2 ラッピング技術
3 研削加工技術

第7章 ELIDによる研削と固定砥粒ラッピング
1 ELID研削法
2 シリコンウェーハのELIDロータリ研削
3 ELIDロータリ研削における加工面粗さ改善の試み
4 ELIDによる固定砥粒ラッピング

第8章 電界砥粒制御技術による高効率ラッピング技術
1 はじめに
2 電界砥粒制御技術
3 電界ラッピング技術
4 電界ラッピング技術による研磨特性の評価方法
5 電界ラッピング技術によるサファイア基板の研磨特性
6 おわりに

第9章 両面ラッピング装置と最新動向
1 はじめに
2 両面ラッピング装置の歴史
3 ラッピング装置の機構
4 シリコンウエーハのラッピング
5 ラッピング装置の最新動向

第10章 大口径ウエハのラッピングと両頭研削の動向
1 はじめに
2 ウエハ仕様の変化
3 加工技術の特徴
4 シリコンウエハの両面同時ラッピング
5 SiCウエハの両面同時ラッピング
6 シリコンウエハの両頭研削技術
7 SiCウエハの両頭研削技術
8 まとめ

第11章 SiCパワー半導体基板の研削/研磨加工
1 はじめに
2 SiCウエハ加工プロセスの特徴とSiとの違い
3 陽極酸化反応を利用した電解研磨技術
4 おわりに

第12章 高剛性研削盤による難削材の最先端加工技術
1 はじめに
2 従来型研削盤と高剛性研削盤
3 SiC研削プロセス
4 今後の課題と展望

【エッチング 編】

第13章 半導体製造プロセスにおけるエッチング技術の先端課題と開発事例
1 はじめに
2 半導体集積回路の開発動向とエッチングの先端課題
3 エッチングの開発事例

第14章 GaN系デバイスに向けたプラズマエッチング技術
1 はじめに
2 GaN光電気化学エッチング
3 GaNプラズマエッチングのガス選定
4 基板昇温エッチング塩素プラズマ
5 光の影響
6 原子層エッチング
7 最後に

第15章 反応性イオンエッチング・原子層エッチングの反応機構
1 はじめに
2 エッチング反応
3 シリコンエッチングプロセス
4 まとめ

第16章 シリコンおよび次世代デバイス材料のウェットエッチング加工
1 はじめに
2 単結晶シリコンのウェットエッチング加工
3 次世代デバイス材料のウェットエッチング加工
4 おわりに

【CMP編】

第17章 ベアSiウェーハとデバイス化ウェーハのCMP技術の基本と動向
1 はじめに
2 ベアSiウェーハの製造工程
3 ベアSiウェーハのCMP技術
4 デバイス化ウェーハのCMP導入の歴史
5 デバイス化ウェーハ用CMP装置と技術
6 おわりに

第18章 半導体デバイス製造におけるCMP(Chemical Mechanical Planarization)...